北京

GB/T4937.18-2018半导体器件机械和气候试验方法第18部分:电离辐射(总剂量)

GB/T4937.18-2018半导体器件机械和气候试验方法第18部分:电离辐射(总剂量)

16 原价30 去抢购

GB/T4937.20-2018半导体器件机械和气候试验方法第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响

GB/T4937.20-2018半导体器件机械和气候试验方法第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响

28.8 原价46 去抢购

GB/T 4937.201-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输

GB/T 4937.201-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输

36.8 原价56 去抢购

GB/T 8446.2-2022电力半导体器件用散热器第2部分:热阻和流阻测试方法

GB/T 8446.2-2022电力半导体器件用散热器第2部分:热阻和流阻测试方法

24.8 原价41 去抢购

GB/T 8446.3-2022电力半导体器件用散热器第3部分:绝缘件和紧固件

GB/T 8446.3-2022电力半导体器件用散热器第3部分:绝缘件和紧固件

28.8 原价46 去抢购

GB/T35010.4-2018半导体芯片产品第4部分:芯片使用者和供应商要求

GB/T35010.4-2018半导体芯片产品第4部分:芯片使用者和供应商要求

24.8 原价41 去抢购

GB/T36646-2018制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

GB/T36646-2018制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

24.8 原价41 去抢购

GB/T36357-2018中功率半导体发光二极管芯片技术规范

GB/T36357-2018中功率半导体发光二极管芯片技术规范

24.8 原价41 去抢购

GB/T11498-2018半导体器件集成电路第21部分:膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)

GB/T11498-2018半导体器件集成电路第21部分:膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)

24.8 原价41 去抢购

GB/T36356-2018功率半导体发光二极管芯片技术规范

GB/T36356-2018功率半导体发光二极管芯片技术规范

20.8 原价36 去抢购

GB/T4937.21-2018半导体器件机械和气候试验方法第21部分:可焊性

GB/T4937.21-2018半导体器件机械和气候试验方法第21部分:可焊性

20.8 原价36 去抢购

GB/T35010.3-2018半导体芯片产品第3部分:操作、包装和贮存指南

GB/T35010.3-2018半导体芯片产品第3部分:操作、包装和贮存指南

36.8 原价56 去抢购

GB/T15879.4-2019半导体器件的机械标准化第4部分:半导体器件封装外形的分类和编码体系

GB/T15879.4-2019半导体器件的机械标准化第4部分:半导体器件封装外形的分类和编码体系

24.8 原价41 去抢购

GB/T4937.13-2018半导体器件机械和气候试验方法第13部分:盐雾

GB/T4937.13-2018半导体器件机械和气候试验方法第13部分:盐雾

16 原价30 去抢购

GB/T 3859.1-2013 半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-1

GB/T 3859.1-2013 半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-1

57.6 原价82 去抢购

GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

47.2 原价69 去抢购

YS/T 1105-2016 半导体封装用键合银丝

YS/T 1105-2016 半导体封装用键合银丝

14.4 原价28 去抢购

GB/T1550-2018非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550-2018非本征半导体材料导电类型测试方法

20.8 原价36 去抢购

GB/T4937.14-2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分:引出端强度(引线牢固性)

GB/T4937.14-2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分:引出端强度(引线牢固性)

20.8 原价36 去抢购

GB/T 4937.4-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:强

GB/T 4937.4-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:强

11.2 原价24 去抢购